|
Инд.CW68 680/250 681K
|
|
Инд.CW68 15/1050 150K
|
|
Инд.CW68 470/340 471K
|
|
BL01RN1A1D2B, индуктивность для подавления ЭМП,
|
|
BL01RN1A2A2B, индуктивность для подавления ЭМП,
|
|
BL02RN2R1M2B, индуктивность для подавления ЭМП,
|
|
BL03RN2R1M1B, индуктивность для подавления ЭМП,
|
|
BLA31BD601SN4D, индуктивность для подававления ЭМП
|
|
BLM10A221SG, индуктивность для подавления ЭМП, имп
|
|
BLM10A601SG, индуктивность для подавления ЭМП, имп
|
|
CI160808-18NJ, 0.018мкГн, 0603, чип индуктивность
|
|
CI160808-1N8D, 0.0018мкГн, 0603, чип индуктивность
|
|
CI160808-33NJ, 0.033мкГн, 0603, чип индуктивность
|
|
CI160808-3N3D, 0.0033мкГн, 0603, чип индуктивность
|
|
CI160808-5N6D, 0.0056мкГн, 0603, чип индуктивность
|
|
CI160808-6N8J, 0.0068мкГн, 0603, чип индуктивность
|
|
CI160808-R10J, 0.1мкГн, 0603, чип индуктивность
|
|
CM201212-1R0KL, 1 мкГн, 0805, чип индуктивность
|
|
CM201212-33NKL, 33 нГн, 0805, чип индуктивность
|
|
CM201212-R18KL,0.18мкГн, 0805, чип индуктивность
|
|
CM201212-R47KL,0.47мкГн, 0805, чип индуктивность
|
|
CM252016-10NKL, 0.01мкГн, 1008, чип индуктивность
|
|
CM252016-33NKL, 0.033мкГн, 1008, чип индуктивность
|
|
CM252016-3R3KL, 3.3мкГн, 1008, чип индуктивность
|
|
CM322522-100KL, 10мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-101KL, 100мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-181KL, 180мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-1R0KL, 1.0мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-1R5KL, 1.5мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-221KL, 220мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-2R2KL, 2.2мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-330KL, 33 мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-3R3KL, 3.3мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-470KL, 47мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-47NML, 47нГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-82NML, 82 нГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-R10ML, 0.1мкГн, 1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-R33ML, 0.33мкГн,1210, чип индуктивность
|
|
CM322522-R47K, чип индуктивность 0.47мкГн 1210
|
|
CM322522-R82ML, 0.82мкГн,1210, чип индуктивность
|
|
CM453232-100KL, 10 мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-101KL, 100 мкГн,1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-102KL, 1000мкГн,1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-150KL, 15 мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-151KL, 150мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-1R0KL, 1.0мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-220KL, 22 мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-221KL, 220мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-2R2KL, 2.2мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-330KL, 33мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-331KL, 330мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-390KL, 39мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-3R3KL, 3.3мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-470KL, 47 мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-471KL, 470мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-4R7KL, 4.7мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-561KL, 560мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-680KL, 68 мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-681KL, 680мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-6R8KL, 6.8мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-R22ML, 0,22мкГн, 1812, чип индуктивность
|
|
CM453232-R47ML, 0.47мкГн,1812, чип индуктивность
|
|
CV201210-100K, 10мкГн, 0805, чип индуктивность
|
|
CV201210-220K, 22мкГн, 0805, чип индуктивность
|
|
CW160808-12NJ, 0.012мкГн, 0603, чип индуктивность
|
|
CW160808-R12J, 0.12мкГн, 0603, чип индуктивность
|
|
LPA1020-501KL, 500 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LPV1823-100ML, 10 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LPV1823-101KL, 100 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LPV1823-102KL,1000 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LPV1823-250KL, 25 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LPV1823-251KL, 250 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LPV1823-500KL, 50 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LPV1823-501KL, 500 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LPV2023-101KL, 100 мкГн индуктивность BRNS
|
|
LPV2023-102KL,1000 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LPV2023-202KL,2000 мкГн, индуктивность BRNS
|
|
LQG15HN12NJ, SMD-индуктивность 12нГн (5%) 0402
|
|
LQG15HN15NJ, SMD-индуктивность 15нГн (5%) 0402
|
|
LQG15HN18NJ, SMD-индуктивность 18нГн (5%) 0402
|
|
LQG15HN1N5S, SMD-индуктивность 1.5нГн +-0,3нГн, 04
|
|
LQG15HN22NJ, SMD-индуктивность 22нГн (5%) 0402
|
|
LQG15HN27NJ, SMD-индуктивность 27нГн (5%) 0402
|
|
LQG15HN33NJ, SMD-индуктивность 33нГн (5%) 0402
|
|
LQG15HN4N3S, SMD-индуктивность 4.3нГн +-0,3нГн, 04
|
|
LQG15HN5N1S, SMD-индуктивность 5.1нГн +-0,3нГн, 04
|
|
LQG15HN68NJ, SMD-индуктивность 68нГн (5%) 0402
|
|
LQG15HN6N2S, SMD-индуктивность 6.2нГн +-0,3нГн, 04
|
|
LQG15HN6N8J, SMD-индуктивность 6.8нГн (5%) 0402
|
|
LQG15HN7N5J, SMD-индуктивность 7.5нГн (5%) 0402
|
|
LQG18HN15N, чип индуктивность 15нГн 5% 0603 MUR
|
|
LQG18HN22NJ, 22нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQG18HN47NJ, 47нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQG18HN56NJ, чип индуктивность 56нГн 5% 0603 MU
|
|
LQH31HNR14J, чип индуктивность 0.145мкГн 5% 1206
|
|
LQH31HNR21J, чип индуктивность 0.215мкГн 5% 1206
|
|
LQH31HNR50J, чип индуктивность 0.5мкГн 5% 1206
|
|
LQH31MN330J, 33мкГн, 1206, (5%), чип индуктивность
|
|
LQH32CN100J, 10мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32CN150K, 15мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32CN220K, 22мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32CN330K, 33мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32CN470K, 47мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32CN680K, 68мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32MN120K, 12мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32MN150K, 15мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32MN1R0M, 1мкГн, 1210, (20%), чип индуктивность
|
|
LQH32MN220K, 22мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32MN270K, 27мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32MN390K, 39мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32MN560K, 56мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32MN820K, 82мкГн, 1210,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH32MNR56M, 0.56мкГн, 1210,(20%), чип индуктивность
|
|
LQH43CN150K, 15мкГн, 1812,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH43CN330K, 33мкГн, 1812,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH43CN680K, 68мкГн, 1812,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH43MN120K, 12мкГн, 1812,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH43MN180K, 18мкГн, 1812,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH43MN270K, 27мкГн, 1812,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH43MN390K, 39мкГн, 1812,(10%), чип индуктивность
|
|
LQH55DN101M,SMD индуктивность 100мкГн (20%) 2220
|
|
LQH55DN103M,SMD индуктивность 10000мкГн (20%) 2220
|
|
LQH55DN220M, SMD-индуктивность 22мкГн (20%) 2220
|
|
LQH55DN6R8M,SMD индуктивность 6.8мкГн (20%) 2220
|
|
LQP18MN1N5C, 1.5нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN2N2C, 2.2нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN2N7C, 2.7нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN3N3C, 3.3нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN3N9C, 3.9нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQP18MN5N6C, 5.6нГн, 0603, 0.2н, чип индуктивность
|
|
LQW18AN12NJ, 12нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN15NJ, SMD индуктивность 15нГн (5%) 0603
|
|
LQW18AN22NG, 22нГн, 0603, (2%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN22NJ, 22нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN27NG, SMD-индуктивность 27нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN2N2D, 2.2нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN30NG, SMD-индуктивность 30нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN39NJ, 39нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN3N9C, SMD-индуктивность 3.9нГн 2% 0603
|
|
LQW18AN43NG, SMD-индуктивность 34нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN47NJ, 47нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18AN4N7D, SMD-индуктивность 4.7нГн (5%) 0603
|
|
LQW18AN56NG, SMD-индуктивность 56нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN6N2C, SMD-индуктивность 6.2нГн (2%) 0603
|
|
LQW18AN8N2C, SMD-индуктивность 8.2нГн 2% 0603
|
|
LQW18AN9N5D, SMD-индуктивность 9.5нГн (5%) 0603
|
|
LQW18ANR10G, SMD-индуктивность 100нГн (2%) 0603
|
|
LQW18ANR10J, 100нГн, 0603, (5%), чип индуктивность
|
|
LQW18ANR39G, SMD-индуктивность 390нГн (2%) 0603
|
|
LQW2BHN3N3D, 0.0033мкГн, 0805, чип индуктивность
|
